20º aniversario del Grupo Especializado de Enseñanza de la Física de la RSEF

El pasado viernes 9 de febrero tuvo lugar en el Aula Magna “Blas Cabrera” de la Facultad de Ciencias Físicas de la Universidad Complutense de Madrid el acto de celebración del 20º aniversario del Grupo Especializado de Enseñanza de la Física (GEEF) de la Real Sociedad Española de Física.

El acto, que fue inaugurado por la decana María Luisa Lucía Mulas, repasó las actividades y retos a los que se ha enfrentado este grupo que formaron inicialmente medio centenar de profesores universitarios y de enseñanza secundaria para, como recuerda Manuel Yuste, primer presidente del GEEF, “estudiar los problemas que tenían los profesores de Física en las aulas en los distintos niveles de enseñanza”.

Carmen Carreras, Verónica Tricio, Manuel Yuste, Paloma Varela y José María Pastor, posan junto a los asistentes al acto celebrado en el aula magna de la Facultad de Ciencias Físicas. Fotografía: Jesús de Miguel.

Además de la intervención de los distintos presidentes que ha tenido el GEEF desde su puesta en marcha en 1998 (Manuel Yuste, José María Pastor y Verónica Tricio), tuvo lugar un homenaje a todos los que han recibido el Premio Enseñanza y Divulgación de la Física de la RSEF y la FBBVA.

En este acto tuve el honor de pronunciar la conferencia “James Clerk Maxwell: vida, ciencia y enseñanza”.

PROGRAMA DEL ACTO

 

Posted in Conferencias, Divulgación, Enseñanza/aprendizaje, Historia de la Física | Tagged , , , , , , | Comments Off on 20º aniversario del Grupo Especializado de Enseñanza de la Física de la RSEF

La contribución “55th anniversary of the laser’s invention” en la Web del Día Internacional de la Luz

La contribución “55th anniversary of the laser’s invention” se encuentra enlazada en la Web del Día Internacional de la Luz gestionada por la UNESCO.

La UNESCO, el pasado 14 de noviembre en la 39ª sesión de su Conferencia General, aprobó que el 16 de mayo sea, a partir de 2018, el Día Internacional de la Luz. Es un legado del Año Internacional de la Luz (2015), basándose en el éxito alcanzado con las numerosas e interesantes actividades celebradas a nivel internacional, y también en España, y que ayudaron a difundir en la sociedad el interés que las tecnologías basadas en la luz tienen para el bienestar y el avance de la humanidad.

En la Web del Comité Internacional del Día internacional de la Luz, en su sección “Why May 16th?” enlaza a la contribución “55th anniversary of the laser’s invention” que apareció publicada en 2015 en el Blog del Año Internacional de la Luz.

Posted in Año de la Luz-2015, Divulgación | Tagged , , , , , , | Comments Off on La contribución “55th anniversary of the laser’s invention” en la Web del Día Internacional de la Luz

Tema 1. Principios físicos de los semiconductores

El tema está dedicado a presentar una introducción sobre el análisis de los distintos tipos de sólidos, la teoría de bandas, las propiedades eléctricas de los semiconductores, los distintos tipos de conducción en semiconductores y los dispositivos semiconductores.

En primer lugar se comentan los distintos tipos de enlaces y de sólidos, distinguiendo, fundamentalmente, entre sólidos iónicos, covalentes y metálicos, e introduciendo el modelo de electrones libres para metales y el concepto de densidad de estados y la distribución de Fermi-Dirac.

Se analiza la diferencia entre los conductores, aislantes y semiconductores en función de su estructura de bandas y la separación entre las bandas de valencia y de conducción. Cuando los átomos se enlazan entre sí en la materia condensada, sus niveles de energía se reparten en bandas. En el cero absoluto, los aislantes y los semiconductores tienen una banda de valencia totalmente llena, separada por un intervalo vacío de energía, de una banda de conducción vacía. Sin embargo, en el caso de los semiconductores el intervalo vacío entre estas dos bandas es del orden de 1 eV. Los conductores tienen bandas de conducción parcialmente llenas. También se distingue entre semiconductor intrínseco y semiconductor extrínseco. en este último caso, la adición de pequeñas concentraciones de impurezas al semiconductor puede cambiar drásticamente sus propiedades eléctricas. Si se añaden impurezas donadoras se obtiene un semiconductor tipo n, mientras que si se añaden impurezas receptoras el resultado es un semiconductor extrínseco de tipo p. En este punto es importante introducir la ecuación del semiconductor o ley de acción de masas, ecuación esencial en el estudio de semiconductores y dispositivos semiconductores así como la condición de neutralidad eléctrica.

A continuación se describen los fenómenos de transporte de cargas que aparecen en los semiconductores, bien como consecuencia de la aplicación de campos eléctricos (corriente de arrastre), bien por la existencia de gradientes de concentración de los portadores (corriente de difusión). Los conceptos de velocidad de arrastre, densidad de corriente y conductividad que aquí se establecen son análogos a los introducidos para conductores metálicos en el tema de corriente eléctrica, con la diferencia que en aquel caso los portadores son electrones libres, mientras que en un semiconductor pueden ser electrones (cargas negativas) y huecos (cargas positivas).

El último apartado del tema está dedicado a los dispositivos semiconductores, presentando de una manera introductoria las características básicas del diodo y del transistor. Comenzamos estudiando la unión p-n, tanto en polarización directa como en polarización inversa, pues este tipo de unión es la base para la construcción de diodos y transistores. Se incluyen sus características básicas de funcionamiento como son las corrientes de electrones y huecos, las características tensión-corriente en un diodo, y las tensiones y corrientes en un transistor. También se analizan algunas aplicaciones de estos dispositivos.

Posted in Asignatura, Temas | Tagged | Comments Off on Tema 1. Principios físicos de los semiconductores

Sommerfeld: el eterno candidato al Nobel

A finales de 1928, un reputado físico alemán escribía a uno de sus colegas con cierta desazón para contarle que, una vez más, no había sido galardonado con el Premio Nobel de Física:

Pero para disipar toda sospecha de falsa modestia, debo hacer notar al mismo tiempo que se está convirtiendo gradualmente en un escándalo público el que todavía no haya recibido el Premio [Nobel de Física].”

El físico teórico Arnold Sommerfeld (1868-1951) nació en Königsberg, ciudad de la antigua Prusia Oriental, la actual Kaliningrado rusa, en la que también nacieron los matemáticos Christian Goldbach y David Hilbert, el filósofo Immanuel Kant y el escritor E. T. A. Hoffmann. Tras recibir su doctorado en la Universidad de Köningsberg en 1891, se trasladó a la Universidad de Gotinga, el centro de las matemáticas en Alemania en aquella época, donde llegó a ser asistente del matemático Felix Klein e impartió clases de matemáticas y física teórica. Tras pasar unos años en la Universidad Técnica de Aquisgrán, en 1906 sucedió a Ludwig Boltzmann como profesor de física teórica y director del Instituto de Física Teórica de la Universidad de Munich, en la que creó una escuela de física teórica que llegó a ser un referente mundial.

Arnold Sommerfeld, que era diez años menor que Max Planck (1858-1947) y poco más de diez mayor que Albert Einstein (1879-1955), perteneció a una generación brillante de físicos alemanes que vivieron la derrota militar en la Gran Guerra, la caída del Imperio alemán, el nacimiento de la República de Weimar, la llegada de Hitler al poder y la Segunda Guerra Mundial, pero que a pesar de esos años convulsos contribuyeron de forma decisiva al nacimiento, desarrollo y consolidación de la física cuántica.

Seguir leyendo en OpenMind

Posted in Biografías, Divulgación, Historia de la Física, Premios Nobel | Tagged , , , | Comments Off on Sommerfeld: el eterno candidato al Nobel

André-Marie Ampère, «el Newton de la electricidad»

El 24 de noviembre de 1793, cuatro años y unos meses después de la toma de la Bastilla, Jean-Jacques Ampère, un próspero comerciante de sedas de Lyon vinculado al partido girondino, subía los últimos peldaños que le conducían al patíbulo. Detenido, juzgado y condenado a la pena capital, ese día era guillotinado y se convertía así en una víctima más de las idas y venidas revolucionarias. La muerte en la guillotina de su padre, al que estaba muy unido, afectó profundamente al joven André-Marie Ampère (1775-1836), entonces de 18 años, sumiéndole en una profunda depresión que le tuvo aislado durante varios años en la casa de campo familiar, situada a diez kilómetros de Lyon. Allí, sin apenas contacto con el mundo exterior, se dedicó a devorar casi como un poseso la magnífica biblioteca de su padre.

André-Marie Ampère fue un niño prodigio educado bajo la influencia del filósofo Rousseau, del que su padre era un ferviente seguidor y, por lo que siguiendo las ideas plasmadas en el EmilioAndré-Marie nunca fue a la escuela, excepto para dar clase él mismo. Tras varios años dando clases particulares de matemáticas consiguió una plaza de profesor de física y química en la Escuela Central de Ain (Bourg-en-Bresse) hasta 1804, fecha en la que  se convertiría en profesor de análisis matemático en la Escuela Politécnica de París.

André-Marie Ampère nació el 20 de enero de 1775 en Lyon y fue un niño prodigio educado bajo la influencia del filósofo Rousseau/ Wikipedia

En 1808, Napoleón llegó a nombrarle inspector general del sistema universitario francés (puesto que ocuparía hasta su muerte) y ya en 1814 consigue entrar en la Academia de Ciencias de Francia, en la sección de geometría. En contraste con su trayectoria profesional, su vida personal fue complicada y muy difícil, y le llevó a vivir momentos como la muerte de su padre en la guillotina, el fallecimiento de su primera esposa, la separación de su segunda esposa etc…

Ampère es uno de los 72 científicos e ingenieros franceses ilustres cuyos nombres aparecen encima de los cuatro arcos de la Torre Eiffel, como Foucault, Fourier, Fresnel, Laplace, Lavoisier, Malus o Poisson, entre otros.

Seguir leyendo en OpenMind

Posted in Biografías, Divulgación, Historia de la Física | Tagged , , , | Comments Off on André-Marie Ampère, «el Newton de la electricidad»